DDR3是计算机内存的规格。最新的规格为DDR5。
DDR3属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍）。
DDR3SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用SSTL15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2SDRAM的ODT、OCD、PostedCAS、AL控制方式外，另外新增更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。
扩展资料
DDR3由于新增一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是环保封装，不能含有任何有害物质。
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加一个4-bitBurstChop（突发突变）模式
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3存储器中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
DDR3的意思就是第三代DDR-SDRAM内存条，内存条可以通过拆机查看内存样式，和通过工具检测两种方法来区分是第几代的。
一、拆机查看内存样式
判别的方法也很简单，主要如下图所示：检查内存的过程要注意别把内存拆坏了。
二、通过工具检测
能够检测到笔记本配置的工具很多，这里我们要用的是鲁大师。安装完成之后，选择下图所示的目录：
在这个硬件检测的目录下，就可以找到内存是第几代了。如下图：
DDR3是一种电脑内存规格，性能相对于DDR2有一定提高。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。
内存DDR=DoubleDataRate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR.
DDR3就是第三代的。
一代是DDR400二代是667、800三代1333.1600.1800.1866.2100
全称GDDR3是显存第3代产品，买显卡的时候不要一味追求新的东西，虽然GDDR3比GDDR2速度快但是GDDR3的延迟比2高，但在价钱擦户不多的情况下还是买3的划算
速度在不断飙升!AMD的AM2接口K8架构处理器引入最高DDR2800的支持，而Intel也会在7月23日发布万众期待的Conroe处理器并进行史上规模最大的“恐怖袭击”；桌面PC市场有望在2006年全面进入DDR2800极速时代。
RD600支持1500Mhz的前端总线超频，可惜在Computex2006台北电脑展上面，RD600似乎“临时放弃”了DDR3内存的支持，转为支持DDR21066的支持，DDR3内存未能在2006年Q2进入市场。
DDR3相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
DDR3
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处：
1.突发长度（BurstLength，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BurstLength，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2.寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5.参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(BearLake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。